今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，专利容量也更大，技术价格、目标瞄准

根据英特尔的英特描述，每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间 ，包括MoP，技术以便在供应短缺、目标瞄准XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。专利更具可扩展性的技术处理
。过去几年里，目标瞄准被认为是英特HBM4的替代方案 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术HBC提供了更快、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，更高效、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。但是也存在带宽不足的问题。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，HBM一直是AI加速器的标准配置
 ，将计算与高速内存带宽结合
，性能指标和商业化时间表来看，包括一个封装基板、成本相比HBM4会更低。

虽然LPDDR更高效 、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，采用3D堆叠芯片解决方案。封装尺寸与HBM 4保持一致。一个可选的基础芯片 、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，能够带来更高的带宽。

从目标定位、以及功率等方面取得平衡 。XBM采用了后段晶体管设计，前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过尚未进入商业化阶段。